[发明专利]光耦合系统及其制造方法有效
| 申请号： | 201280074028.9 | 申请日： | 2012-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN104380158A | 公开（公告）日： | 2015-02-25 |
| 发明（设计）人： | 戴维·A·法塔勒;彭真;马科斯·菲奥伦蒂诺;雷蒙德·G·博索雷 | 申请（专利权）人： | 惠普发展公司;有限责任合伙企业 |
| 主分类号： | G02B6/12 | 分类号： | G02B6/12;G02B6/42 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 郭艳芳;康泉 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 包括一种光耦合系统及制造方法。该光耦合系统包括基底层和覆盖该基底层的光波导材料。该光波导材料可以包括光栅。该系统还包括覆盖该光波导材料的覆盖材料，该覆盖材料用于将光信号以一耦合角经由该光栅耦合到该光波导材料。由于该耦合角的原因以及由于该覆盖材料与该基底层之间的折射率差的原因的组合，经耦合的光信号在该基底层中近似零能量的损耗。 | ||
| 搜索关键词： | 耦合 系统 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种光耦合系统，包括：基底层；覆盖所述基底层的光波导材料，所述光波导材料具有光栅；以及覆盖所述光波导材料的覆盖材料，所述覆盖材料用于将光信号以一耦合角经由所述光栅耦合到所述光波导材料，其中由于所述耦合角的原因以及由于所述覆盖材料与所述基底层之间的折射率差的原因的组合，经耦合的光信号在所述基底层中近似零能量的损耗。
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