[发明专利]集成传感器有效
| 申请号： | 201280072502.4 | 申请日： | 2012-04-20 |
| 公开（公告）号： | CN104220878B | 公开（公告）日： | 2018-04-06 |
| 发明（设计）人： | A.M.布拉特科夫斯基;Z.李;W.吴;M.胡;R.S.威廉斯;A.金 | 申请（专利权）人： | 惠普发展公司;有限责任合伙企业 |
| 主分类号： | G01N35/00 | 分类号： | G01N35/00;G01N21/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司72001 | 代理人： | 吕传奇,徐红燕 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 这里公开了集成传感器的示例。集成传感器的示例包括衬底；和感测构件，形成在衬底表面上。感测构件包括可收缩信号放大结构；和围绕可收缩信号放大结构的区域，该区域使得暴露于其的液滴的自定位朝向可收缩信号放大结构。 | ||
| 搜索关键词： | 集成 传感器 | ||
【主权项】：
一种集成传感器，包括：柔性衬底；和感测构件，形成在衬底表面上，感测构件包括：多个可收缩信号放大结构，每个可收缩信号放大结构包括柔性聚合物基纳米结构和定位于其上的信号放大材料，其中所述多个可收缩信号放大结构按照预先确定的几何形状加以布置并且被配置成在毛细作用力的帮助下自凝聚，所述柔性聚合物基纳米结构由与所述柔性衬底相同的材料形成；以及围绕可收缩信号放大结构的区域使得能够将朝向所述可收缩信号放大结构暴露于其的液滴自定位，其中围绕所述可收缩信号放大结构的区域比所述可收缩信号放大结构更疏水，并且其中围绕所述可收缩信号放大结构的区域包括形成在所述衬底上的聚合物柱的梯度，所述聚合物柱的梯度在感测构件的外围更密集。
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