[发明专利]在熔体的表面上达成持续的非等向性晶体成长的方法有效
| 申请号： | 201280071159.1 | 申请日： | 2012-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN104159855A | 公开（公告）日： | 2014-11-19 |
| 发明（设计）人： | 彼得·L·凯乐门;孙大为;布莱恩·H·梅克英特许 | 申请（专利权）人： | 瓦里安半导体设备公司 |
| 主分类号： | C03B15/00 | 分类号： | C03B15/00;C03B15/14;C30B29/06 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 臧建明 |
| 地址： | 美国麻萨诸塞*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种自熔体上水平带材生长的方法，包括在熔体的表面上利用辐射冷却形成带材的前侧边缘；沿着熔体的表面在第一方向上拉起带材；以及在邻近带材的前侧边缘的区域中以热移离速率来移除自熔体辐射的热，所述热大于流经熔体至带材内的热。 | ||
| 搜索关键词： | 表面上 达成 持续 向性 晶体 成长 方法 | ||
【主权项】：
一种自熔体水平带材生长的方法，包括：于熔体的表面利用辐射冷却形成带材的前侧边缘；于第一方向沿着所述熔体的表面拉起所述带材；以及在邻近所述带材的所述前侧边缘的区域中以热移离速率来移除自所述熔体辐射的热，所述热大于流经所述熔体至所述带材内的热。
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