[发明专利]用于半导体的粘合剂组合物和包含它的粘合剂膜无效
| 申请号： | 201280070440.3 | 申请日： | 2012-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN104125994A | 公开（公告）日： | 2014-10-29 |
| 发明（设计）人： | 李俊雨;金成旻;金仁焕;朴白晟;任首美;崔裁源 | 申请（专利权）人： | 第一毛织株式会社 |
| 主分类号： | C09J7/02 | 分类号： | C09J7/02;C09J11/06;C09J163/00;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 王峰;王珍仙 |
| 地址： | 韩国庆*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明涉及用于半导体的粘合剂组合物和包括它的粘合剂膜。在包括在120℃至130℃的温度下固化1分钟至20分钟的第一阶段，在140℃至150℃的温度下固化1分钟至10分钟的第二阶段，在160℃至180℃的温度下固化30秒至10分钟的第三阶段，和在160℃至180℃的温度下固化10分钟至2小时的第四阶段的固化工艺中，所述粘合剂膜在第一阶段中具有100％单体转化的40％或更少的DSC单体转化，在第四阶段中具有比在第三阶段中的DSC单体转化高30％至60％的DSC单体转化，并且在第二和第三阶段中各自具有比其前一阶段的DSC单体转化高5％或更多的DSC单体转化。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 半导体 粘合剂 组合 包含 | ||
【主权项】：
一种用于半导体的粘合剂膜，其中，包括在120℃至130℃的温度下固化1分钟至20分钟的第一阶段，在140℃至150℃的温度下固化1分钟至10分钟的第二阶段，在160℃至180℃的温度下固化30秒至10分钟的第三阶段，和在160℃至180℃的温度下固化10分钟至2小时的第四阶段的固化工艺中，所述粘合剂膜在所述第一阶段中具有100％单体转化的40％或更少的DSC单体转化，在所述第四阶段中具有比在所述第三阶段中的DSC单体转化高30％至60％的DSC单体转化，并且在所述第二和所述第三阶段中各自具有比其前一阶段的DSC单体转化高5％或更多的DSC单体转化。
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