[发明专利]半导体装置、显示装置和半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 201280066838.X | 申请日： | 2012-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN104040724B | 公开（公告）日： | 2016-11-09 |
| 发明（设计）人： | 织田明博 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/28;H01L21/336;H01L21/768;H01L29/417 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本，*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的半导体装置(100)包括：基板(1)、栅极电极(11)、栅极绝缘膜(12)、氧化物半导体层(13)、源极电极(14)、漏极电极(15)和保护膜(16)。氧化物半导体层的上表面和侧面被源极电极、漏极电极和保护膜覆盖，从基板面法线方向看时，从第一接触区域(13s)的外缘至源极电极的外缘的最短距离和从第二接触区域(13d)的外缘至漏极电极的外缘的最短距离分别为1.5μm以上4.5μm以下。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 显示装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其特征在于，包括：基板；设置在所述基板上的栅极电极；形成在所述栅极电极上的栅极绝缘膜；岛状的氧化物半导体层，其形成在所述栅极绝缘膜上，具有沟道区域以及分别位于所述沟道区域的两侧的第一接触区域和第二接触区域；与所述第一接触区域电连接的源极电极；与所述第二接触区域电连接的漏极电极；和保护膜，其与所述氧化物半导体层相接触地设置在该氧化物半导体层上，形成在所述氧化物半导体层与所述源极电极和所述漏极电极之间，所述氧化物半导体层的上表面和侧面被所述源极电极、所述漏极电极和所述保护膜覆盖，从基板面法线方向看时，沿沟道长度方向规定的、从所述第一接触区域的外缘至所述源极电极的外缘的最短距离和从所述第二接触区域的外缘至所述漏极电极的外缘的最短距离的值均在1.5μm以上4.5μm以下的范围内，从基板面法线方向看时，沿沟道宽度方向规定的、从所述第一接触区域的外缘至所述源极电极的外缘的最短距离和从所述第二接触区域的外缘至所述漏极电极的外缘的最短距离的值均在1.5μm以上4.5μm以下的范围内。
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