[发明专利]具有嵌入基质中的半导体结构的复合材料在审
| 申请号： | 201280065133.6 | 申请日： | 2012-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN104066813A | 公开（公告）日： | 2014-09-24 |
| 发明（设计）人： | 朱厄妮塔·库尔京;科林·里斯;布赖恩·西奥博尔德;内森·麦克劳克林;马修·J·卡里洛;朴欧浩;杰奥尔杰塔·马松;史蒂文·M·休斯 | 申请（专利权）人： | 太平洋光技术公司 |
| 主分类号： | C09K11/02 | 分类号： | C09K11/02;B82B1/00 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 康泉;王珍仙 |
| 地址： | 美国俄*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 描述了具有嵌入基质中的半导体结构的复合材料。在实例中，复合材料包括基质材料。多个半导体结构被嵌入基质材料中。每个半导体结构包括由第一半导体材料组成的并且具有在1.0至2.0之间但不包括1.0和2.0的宽高比的各向异性纳米晶体核。每个半导体结构还包括至少部分包围所述各向异性纳米晶体核的由不同的第二半导体材料组成的纳米晶体壳。绝缘体层封装每个纳米晶体壳和各向异性纳米晶体核配对。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 嵌入 基质 中的 半导体 结构 复合材料 | ||
【主权项】：
一种复合材料，包含：基质材料；多个嵌入所述基质材料中的半导体结构，每个半导体结构包含：包含第一半导体材料并且具有在1.0至2.0之间但不包括1.0和2.0的宽高比的各向异性纳米晶体核；包含至少部分包围所述各向异性纳米晶体核的不同的第二半导体材料的纳米晶体壳；和封装所述纳米晶体壳和各向异性纳米晶体核的绝缘体层。
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