[发明专利]刻蚀硅结构、形成刻蚀硅结构的方法及其用途

摘要

一种刻蚀硅的方法，该方法包括以下步骤：将第一金属无电沉积在待刻蚀的硅表面上，其中无电沉积的第一金属部分覆盖所述待刻蚀的硅表面；将不同于第一金属的第二金属沉积在所述硅表面和无电沉积的第一金属上，其中沉积的第二金属的膜覆盖所述待刻蚀的硅表面；从覆盖在第一金属上的沉积的第二金属的膜区域除去第一金属和第二金属以使得第二金属部分覆盖待刻蚀的硅表面；和通过将硅表面暴露于包含氧化剂和氟化物离子源的水性刻蚀组合物来刻蚀所述硅。

主权项

一种刻蚀硅的方法，所述方法包括以下步骤：将第一金属无电沉积在待刻蚀的硅表面上，其中无电沉积的所述第一金属部分地覆盖所述待刻蚀的硅表面；将不同于所述第一金属的第二金属沉积在所述硅表面和无电沉积的所述第一金属上，其中沉积的所述第二金属的膜覆盖所述待刻蚀的硅表面；从覆盖在所述第一金属上的沉积的所述第二金属的膜区域除去所述第一金属和所述第二金属以使所述第二金属部分地覆盖所述待刻蚀的硅表面；以及通过将所述硅表面暴露于包含氧化剂和氟化物离子源的水性刻蚀组合物来刻蚀所述硅。