[发明专利]高占空比离子光谱仪有效
申请号: | 201280061435.6 | 申请日: | 2012-11-26 |
公开(公告)号: | CN103988278B | 公开(公告)日: | 2016-10-26 |
发明(设计)人: | A·A·马卡洛夫 | 申请(专利权)人: | 塞莫费雪科学(不来梅)有限公司 |
主分类号: | H01J49/04 | 分类号: | H01J49/04;H01J49/06;H01J49/42;G01N27/62 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 姬利永 |
地址: | 德国*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | 提供了一种离子光谱仪,该离子光谱仪包括:一个离子源,该离子源被安排为连续地产生具有第一质荷比范围的离子;以及一个离子阱,该离子阱被安排为沿着一条轴线接收来自该离子源的离子,并且与该轴线正交地喷射具有第二质荷比范围的离子,该第二质荷比范围比该第一质荷比范围更窄。在某些实施方案中,该离子源产生的离子连续地流入该离子阱中。另外地或可替代地,离子光学器件接收从该离子阱喷射的离子并且在没有实质性碎裂的情况下冷却这些离子。一个离子分析器接收从该离子阱或离子光学器件喷射的离子并且根据这些离子的至少一种特性来分离这些离子。 | ||
搜索关键词: | 高占空 离子 光谱仪 | ||
【主权项】:
一种离子光谱仪,该离子光谱仪包括:一个离子源,该离子源被安排为连续地产生具有第一质荷比范围的离子;一个离子阱,该离子阱被安排为沿着一条轴线接收来自该离子源的离子,并且与该轴线正交地喷射具有第二质荷比范围的离子,该第二质荷比范围比该第一质荷比范围更窄;一个电源,该电源联接到该离子源和离子阱,以便提供一个电势致使该离子源产生的离子连续地流进该离子阱并且向离子阱提供激发电势以喷射第二质荷比范围的离子同时其他离子被离子阱接收并连续地储存以供未来喷射;以及一个离子分析器,该离子分析器被安排为接收从该离子阱喷射的离子并且根据这些离子的至少一种特性来分离这些离子。
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