[发明专利]自给自足式加热元件无效
| 申请号： | 201280061409.3 | 申请日： | 2012-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN103988286A | 公开（公告）日： | 2014-08-13 |
| 发明（设计）人： | G·K·翁;J·约德伏斯基;S·D·马库斯 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 黄嵩泉 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供包含狭长壳体的组件，该狭长壳体包含一材料，该材料对在处理腔室中经历的温度下的热膨胀有抗性。至少一个加热元件沿着狭长壳体的纵轴经由开放内部区域延伸，该开放内部区域允许气体流以实质上垂直于纵轴的方向通过加热元件。亦描述了使用加热元件以激发气体前体物种来处理基板的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 自给自足 加热 元件 | ||
【主权项】：
一种用于在沉积处理腔室中于气相沉积反应期间加热气体的组件，所述组件包含：狭长壳体，所述狭长壳体具有纵轴，所述壳体包含对在所述处理腔室中经历的温度下的热膨胀有抗性的材料，所述壳体具有开放内部区域以允许气体流以实质上垂直于所述纵轴的方向通过所述壳体；以及加热元件，所述加热元件沿着所述纵轴自所述狭长壳体的第一端延伸至所述狭长壳体的第二端，所述加热元件包含一材料，所述材料待由电流加热且用以在所述气相沉积反应期间加热流经所述壳体的气体。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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