[发明专利]高输出功率放大器有效
| 申请号： | 201280061197.9 | 申请日： | 2012-11-09 |
| 公开（公告）号： | CN103999361A | 公开（公告）日： | 2014-08-20 |
| 发明（设计）人： | 冈岛利幸 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H03F1/52 | 分类号： | H03F1/52;H03F3/24 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 李辉;黄纶伟 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 在使用了耗尽型FET的高输出功率放大器中，为了可靠地防止由过电流引起的FET的损坏，具有：生成施加到耗尽型FET的漏极端子的正电压的漏极电压供给部(120、220、320)；以及生成施加到耗尽型FET的栅极端子的负电压的栅极偏置电压供给部(130、230、330)，漏极电压供给部使用外部商用电源作为电源，栅极偏置电压供给部使用电池作为电源。 | ||
| 搜索关键词： | 输出 功率放大器 | ||
【主权项】：
一种高输出功率放大器，其是将耗尽型FET作为放大元件而构成的，在该高输出功率放大器中，具有：漏极电压供给部，其生成并输出施加到所述耗尽型FET的漏极端子的正电压；以及栅极偏置电压供给部，其生成并输出施加到所述耗尽型FET的栅极端子的负电压，所述漏极电压供给部使用外部商用电源作为电源，所述栅极偏置电压供给部使用电池作为电源。
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