[发明专利]激光二极管元件和制造激光二极管元件的方法无效
| 申请号： | 201280060441.X | 申请日： | 2012-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN103975491A | 公开（公告）日： | 2014-08-06 |
| 发明（设计）人： | 风田川统之;中岛博;簗岛克典;京野孝史;足立真宽 | 申请（专利权）人： | 索尼公司;住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/343 | 分类号： | H01S5/343;H01S5/22 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 余刚;吴孟秋 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体激光元件，包括：由六方晶系III族氮化物半导体形成的具有半极性面的半导体基板；外延层(2)，形成在半导体基板的半极性面上并包括发光层，外延层具有脊部(18)；第一电极(14)，形成在脊部之上；绝缘层(12)，覆盖脊部的周围(18a)和脊部的侧面(18b)的外延层同时从外延层侧连续覆盖第一电极的侧面的至少一部分；焊盘电极(13)，被形成为覆盖在第一电极和绝缘层之上，并且该焊盘电极电连接到第一电极；以及第二电极(15)，形成在半导体基板的、与形成外延层的表面相对的表面上。 | ||
| 搜索关键词： | 激光二极管 元件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种激光二极管元件，包括：半导体基板，包括半极性面，所述半导体基板由六方晶III族氮化物半导体形成；外延层，包括发光层，所述外延层形成在所述半导体基板的所述半极性面上，并且所述外延层包括脊部；第一电极，形成在所述脊部的上表面上；绝缘层，在所述脊部的相邻区域和所述脊部的侧面覆盖所述外延层，所述绝缘层从所述外延层侧连续地覆盖所述第一电极的侧面的部分或全部；焊盘电极，被形成为覆盖所述第一电极的上表面和所述绝缘层，所述焊盘电极被电连接到所述第一电极；以及第二电极，形成在所述半导体基板的、与形成有所述外延层的面相对的面上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于索尼公司;住友电气工业株式会社，未经索尼公司;住友电气工业株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201280060441.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
