[发明专利]用于绝缘栅双极型晶体管的关断过电压限制有效
| 申请号： | 201280060186.9 | 申请日： | 2012-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN103988410B | 公开（公告）日： | 2017-10-13 |
| 发明（设计）人： | J-M.西尔;M.埃尔亚库比;M.阿玛;P.弗勒里 | 申请（专利权）人： | TM4股份有限公司 |
| 主分类号： | H02M7/217 | 分类号： | H02M7/217 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所11105 | 代理人： | 李芳华 |
| 地址： | 加拿大*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在这里描述了一种用于IGBT的关断过电压限制。在这里描述了，只有在过电压超过预定值期间，才将IGBT两端的过电压的采样注入栅极驱动，以减低栅极电压降低的斜率。在这里还描述了用于增加寄生电感以允许用于限制第二IGBT的关断处的过电压的控制的技术。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 绝缘 栅双极型 晶体管 过电压 限制 | ||
【主权项】：
一种DC到AC功率转换器，该DC到AC功率转换器包括第一和第二IGBT以及变压器，每一IGBT被提供有栅极、集电极和发射极，所述变压器具有连接在第二IGBT的集电极的寄生电感两端的初级线圈、和次级线圈，每一IGBT的栅极连接到栅极驱动器，所述栅极驱动器包括基准；第一IGBT的栅极驱动器基准连接到所述功率转换器的接地总线，而第二IGBT的栅极驱动器基准经由该变压器的次级线圈连接到第一IGBT的集电极；通过该变压器的次级线圈增加第二IGBT的发射极的寄生电感，以允许用于限制第二IGBT的关断处的过电压的控制。
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