[发明专利]均质多带隙装置无效
| 申请号: | 201280059778.9 | 申请日: | 2012-10-19 |
| 公开(公告)号: | CN104303320A | 公开(公告)日: | 2015-01-21 |
| 发明(设计)人: | 刘锋;孙儒杰;张晔 | 申请(专利权)人: | 犹他大学研究基金会 |
| 主分类号: | H01L31/07 | 分类号: | H01L31/07;H01L31/09;H01L31/108;H01L33/06;H01L33/08;H01L31/028;H01L31/0352;H01L31/036;H01L31/101;B82Y20/00 |
| 代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 宋超 |
| 地址: | 美国*** | 国省代码: | 美国;US |
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| 摘要: | 提供一种电气装置,其包括(A)具有表面的衬底和(B)叠加在所述表面的一部分上的纳米孔超晶格(110)。所述纳米孔超晶格包括具有其中所界定的孔阵列的多个薄片。所述孔阵列由带隙或带隙范围表征。所述多个薄片形成第一边缘和第二边缘。包含第一导电材料的第一导线(106)与所述第一边缘形成第一结。包含第二导电材料的第二导线(108)与所述第二边缘形成第二结。所述第一结为关于载流子的肖特基势垒。在一些情况下,金属保护涂层覆盖第一导线的表面的全部或一部分。在一些情况下,第一导线包含钛,第二导线包含钯,并且金属保护涂层包含金。 | ||
| 搜索关键词: | 均质多带隙 装置 | ||
【主权项】:
一种电气装置,其包括:(A)具有表面的衬底;(B)叠加在所述表面的第一部分上的第一纳米孔超晶格,所述第一纳米孔超晶格包含具有其中所界定的第一孔阵列的第一组多个薄片,其中所述第一组多个薄片中的所述第一孔阵列由第一带隙或第一带隙范围表征并且其中所述第一组多个薄片形成第一边缘和第二边缘;(C)包含第一导电材料的第一导线,所述第一导线与所述第一边缘形成第一结,其中所述第一结为关于载流子的第一肖特基势垒;(D)包含第二导电材料的第二导线,所述第二导线与所述第二边缘形成第二结;以及(E)任选地,覆盖所述第一导线的表面的全部或一部分的第一金属保护涂层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





