[发明专利]均质多带隙装置无效

专利信息
申请号: 201280059778.9 申请日: 2012-10-19
公开(公告)号: CN104303320A 公开(公告)日: 2015-01-21
发明(设计)人: 刘锋;孙儒杰;张晔 申请(专利权)人: 犹他大学研究基金会
主分类号: H01L31/07 分类号: H01L31/07;H01L31/09;H01L31/108;H01L33/06;H01L33/08;H01L31/028;H01L31/0352;H01L31/036;H01L31/101;B82Y20/00
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人: 宋超
地址: 美国*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 提供一种电气装置,其包括(A)具有表面的衬底和(B)叠加在所述表面的一部分上的纳米孔超晶格(110)。所述纳米孔超晶格包括具有其中所界定的孔阵列的多个薄片。所述孔阵列由带隙或带隙范围表征。所述多个薄片形成第一边缘和第二边缘。包含第一导电材料的第一导线(106)与所述第一边缘形成第一结。包含第二导电材料的第二导线(108)与所述第二边缘形成第二结。所述第一结为关于载流子的肖特基势垒。在一些情况下,金属保护涂层覆盖第一导线的表面的全部或一部分。在一些情况下,第一导线包含钛,第二导线包含钯,并且金属保护涂层包含金。
搜索关键词: 均质多带隙 装置
【主权项】:
一种电气装置,其包括:(A)具有表面的衬底;(B)叠加在所述表面的第一部分上的第一纳米孔超晶格,所述第一纳米孔超晶格包含具有其中所界定的第一孔阵列的第一组多个薄片,其中所述第一组多个薄片中的所述第一孔阵列由第一带隙或第一带隙范围表征并且其中所述第一组多个薄片形成第一边缘和第二边缘;(C)包含第一导电材料的第一导线,所述第一导线与所述第一边缘形成第一结,其中所述第一结为关于载流子的第一肖特基势垒;(D)包含第二导电材料的第二导线,所述第二导线与所述第二边缘形成第二结;以及(E)任选地,覆盖所述第一导线的表面的全部或一部分的第一金属保护涂层。
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