[发明专利]高孔率介孔硅质结构有效
| 申请号： | 201280057921.0 | 申请日： | 2012-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN103987661B | 公开（公告）日： | 2017-02-22 |
| 发明（设计）人： | B·A·基罗斯;C·L·特维;S·T·马托西;C·J·塔克;A·M·凯利-罗维利 | 申请（专利权）人： | 陶氏环球技术有限责任公司 |
| 主分类号： | C01B33/12 | 分类号： | C01B33/12;C01B37/02 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所11256 | 代理人： | 吴亦华 |
| 地址： | 美国密*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种方法，所述方法包括A)将选自水溶性二氧化硅源和碱金属硅酸盐的一种或多种氧化硅源与包含一种或多种非离子型表面活性剂的水性反应介质接触并从而形成包含交联氧化硅单元的介孔结构，其中所述交联氧化硅单元具有约1至约100纳米的孔并且其中所述水性反应介质表现出pH约0至约4.0；B)将包含所述介孔结构的所述水性反应介质暴露于升高的温度一段时间以足以获得期望的结构和孔尺寸。优选的水溶性二氧化硅源包括硅酸或聚硅酸。所述水性反应介质通过合并一种或多种非离子型表面活性剂和水、从而形成包含胶束的水性反应介来制备。优选地，所述水性反应介质还包含能够溶胀由所述水性反应介质中的表面活性剂形成的胶束的胶束溶胀剂。在一种实施方式中，所述方法形成具有由交联氧化硅构成的支柱的结构，所述支柱连接至少一部分所述孔形成结构。 | ||
| 搜索关键词： | 高孔率介孔硅质 结构 | ||
【主权项】：
方法，所述方法包括：A)将选自硅酸和聚硅酸的一种或多种氧化硅源与包含一种或多种非离子型表面活性剂和一种或多种能够溶胀胶束的胶束溶胀剂的水性反应介质在20℃至60℃的温度下接触2至120小时，以形成包含交联氧化硅单元的介孔结构，其中所述表面活性剂以1重量％至5重量％的量存在于所述水性反应介质中，所述氧化硅源与所述表面活性剂的重量比是1:6至2:1，并且所述胶束溶胀剂与所述表面活性剂的重量比是1:4至8:1，并且其中所述水性反应介质表现出pH 0至4.0；B)将含所述介孔结构的所述水性反应介质暴露于80℃至180℃的升高的温度1至80小时的一段时间以足以获得期望的结构和孔尺寸，其中所述交联氧化硅单元限定1至100纳米的孔；其中所述方法不包括煅烧步骤。
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