[发明专利]改进的挠性低模量光伏建筑覆层部件无效
申请号: | 201280056109.6 | 申请日: | 2012-11-09 |
公开(公告)号: | CN103999233A | 公开(公告)日: | 2014-08-20 |
发明(设计)人: | 冯捷;基思·L·考夫曼;杨冠豪;刘华;杰弗里·D·扎维沙;里奥那多·C·洛佩斯 | 申请(专利权)人: | 陶氏环球技术有限责任公司 |
主分类号: | H01L31/042 | 分类号: | H01L31/042 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 陈平 |
地址: | 美国*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本发明涉及一种改进的光伏建筑覆层部件(“PV器件”),更具体地涉及一种挠性低模量光伏建筑覆层部件,所述部件包括:挠性光伏电池组件,主体部分,所述主体部分由主体材料组成并且连接至所述光伏电池组件的外围边缘段,其中所述主体部分在至少95%的沿外围边缘段的点上1cm内具有至少35mm2的横截面积;其中所述主体材料包含在-40至85℃之间的温度具有5至200MPa的模量的组合物,所述组合物具有低于100x10-6/℃的热膨胀系数(CTE),并且所述主体部分展现小于15mm的翘曲值。 | ||
搜索关键词: | 改进 挠性低模量光伏 建筑 覆层 部件 | ||
【主权项】:
一种制品,所述制品包括:挠性低模量光伏建筑覆层部件,所述部件包括:挠性光伏电池组件;主体部分,所述主体部分由主体材料组成并且连接至所述光伏电池组件的外围边缘段,其中所述主体部分在至少95%的沿所述外围边缘段的点上1cm内具有至少35mm2的横截面积;其中所述主体材料包括在‑40至85℃的温度之间具有5至200MPa的模量的组合物,所述组合物具有低于100x10‑6/℃的热膨胀系数(CTE),并且所述主体部分展现小于15mm的翘曲值。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的