[发明专利]用于形成自对准触点和局部互连的方法

摘要

本发明提供一种半导体器件制造工艺，其包括在半导体衬底上的替换金属栅极上方形成绝缘芯轴，其中第一栅极(104)具有源极和漏极并且至少一个第二栅极(104’)与所述第一栅极隔离。芯轴隔离物(124)围绕每一绝缘芯轴来形成。所述芯轴和芯轴间隔物包括第一绝缘材料。具有第二绝缘材料的第二绝缘层(126)在晶体管上方形成。一个或多个第一沟槽通过移除所述绝缘芯轴之间的所述第二绝缘材料来形成，从而连至所述第一栅极的所述源极和漏极。第二沟槽通过移除所述第二栅极上方的具有所述第一绝缘材料和所述第二绝缘材料的部分来形成，从而连至所述第二栅极。所述第一沟槽和所述第二沟槽填充有导电材料，以形成连至所述第一栅极的所述源极和漏极的第一触点(132)和连至所述第二栅极的第二触点(142)。

主权项

一种半导体器件制造工艺，其包括：提供晶体管，所述晶体管包括在半导体衬底上的多个替换金属栅极，其中第一栅极具有源极和漏极并且至少一个第二栅极与所述第一栅极隔离，其中所述晶体管包括围绕每一第一栅极的具有第一绝缘材料的栅极间隔物和在所述栅极间隔物之间的具有第二绝缘材料的第一绝缘层，并且其中所述第二绝缘材料中的至少一些覆盖所述第一栅极的源极和漏极；形成在所述第一栅极和所述第二栅极上方对准的一个或多个绝缘芯轴，其中所述绝缘芯轴包含所述第一绝缘材料；形成围绕每一绝缘芯轴的芯轴间隔物，其中所述芯轴间隔物包含所述第一绝缘材料；形成在所述晶体管上方的具有所述第二绝缘材料的第二绝缘层；通过从所述晶体管的介于所述绝缘芯轴之间的部分移除所述第二绝缘材料，形成连至所述第一栅极的所述源极和漏极的一个或多个第一沟槽；通过移除所述第二栅极上方的具有所述第一绝缘材料和所述第二绝缘材料的部分，形成连至所述第二栅极的第二沟槽；用导电材料填充所述第一沟槽和所述第二沟槽，以形成连至所述第一栅极的所述源极和漏极的第一触点和连至所述第二栅极的第二触点；在所述晶体管上方形成第三绝缘层；通过移除所述第三绝缘层的部分，形成穿过所述第三绝缘层到达所述第一触点和所述第二触点的第三沟槽；以及通过将导电材料沉积在穿过所述第三绝缘层形成的所述第三沟槽中，形成连至所述第一触点和所述第二触点的局部互连。