[发明专利]高吞吐量薄膜特性化及缺陷检测有效
| 申请号： | 201280054196.1 | 申请日： | 2012-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN104114999B | 公开（公告）日： | 2017-06-09 |
| 发明（设计）人： | 高翔;菲利普·D·弗兰纳三世;利奥尼德·波斯拉夫斯基;志明·江;叶俊杰;托斯顿·卡克;强·赵 | 申请（专利权）人： | 科磊股份有限公司 |
| 主分类号： | G01N21/49 | 分类号： | G01N21/49;G06F19/00 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司11287 | 代理人： | 张世俊 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明呈现用于基于光谱响应数据确定沉积于衬底之上的高k电介质膜的带结构特性的方法及系统。利用高吞吐量分光计在制造过程中早期快速测量半导体晶片。基于光谱数据确定光学色散度量。基于光学色散度量值确定带结构特性，例如带隙、带边缘及缺陷。在一些实施例中，通过色散度量值的曲线拟合及内插确定带结构特性。在一些其它实施例中，通过所选色散模型的回归确定带结构特性。在一些实例中，还确定指示高k电介质膜的带增宽的带结构特性。基于在所述制造过程中早期识别的所述带结构特性估计已完成晶片的电性能。 | ||
| 搜索关键词： | 吞吐量 薄膜 特性 缺陷 检测 | ||
【主权项】：
一种半导体制造方法，其包括：接收未完成的多层半导体晶片的跨第一光谱范围的光谱响应；至少部分基于所述光谱响应确定所述多层半导体晶片的第一层的光学色散度量；至少部分基于所述多层半导体晶片的跨所述第一光谱范围内的第二光谱范围的所述色散度量确定指示所述多层半导体晶片的所述第一层的电性能的带结构特性，其中所述色散度量是复折射率的虚分量(k)或复介电常数的虚分量(ε2)；至少部分基于所述带结构特性确定所述多层半导体晶片的所述电性能的估计；至少部分基于所述光谱响应确定所述多层半导体晶片的第二层的光学色散性质；以及至少部分基于所述多层半导体晶片的所述第二层的所述色散性质确定指示所述第二层的电性能的带结构特性。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于科磊股份有限公司，未经科磊股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201280054196.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：总氮测定装置
- 下一篇：用于实时地监测穿过质量流量控制器的流量的系统和方法
