[发明专利]纳米线场效应晶体管器件有效
| 申请号： | 201280054033.3 | 申请日： | 2012-10-16 |
| 公开（公告）号： | CN103930977A | 公开（公告）日： | 2014-07-16 |
| 发明（设计）人： | S·邦萨伦提普;G·M·科昂;J·W·斯雷特 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 牛南辉;于静 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种形成场效应晶体管器件的方法包括在衬底之上形成悬置的纳米线，在所述衬底的一部分上并围绕所述纳米线的一部分形成虚设栅极叠层；去除所述纳米线的暴露部分，从所述纳米线的暴露部分外延生长纳米线扩展部分，在所述衬底的暴露部分、所述虚设栅极叠层以及所述纳米线扩展部分之上沉积半导体材料层，以及去除所述半导体材料的部分以形成邻近所述虚设栅极叠层设置并接触所述纳米线扩展部分的侧壁接触区域。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 场效应 晶体管 器件 | ||
【主权项】：
一种形成场效应晶体管器件的方法，所述方法包括：在衬底之上形成悬置的纳米线；在所述衬底的一部分上并围绕所述纳米线的一部分形成虚设栅极叠层；去除所述纳米线的暴露部分；从所述纳米线的暴露部分外延生长纳米线扩展部分；在所述衬底的暴露部分、所述虚设栅极叠层以及所述纳米线扩展部分之上沉积半导体材料层；以及去除所述半导体材料的部分以形成邻近所述虚设栅极叠层设置并接触所述纳米线扩展部分的侧壁接触区域。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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