[发明专利]等离子体活化保形电介质膜沉积

摘要

在衬底表面上沉积膜的方法，其包括表面介导反应，在该反应中经过反应物的吸附和反应的一个或多个循环所述膜生长。在一个方面中，该方法的特征在于，在吸附和反应的循环之间，间歇性输送掺杂剂物质到膜。

主权项

一种在反应室中在衬底表面上沉积掺杂氮和/或碳的电介质膜堆叠的方法，所述方法包括：通过包含两个或更多个电介质沉积循环的工艺沉积所述电介质膜堆叠的第一电介质部分，每个循环包括：(a)在允许电介质膜前体吸附到所述衬底表面的条件下将所述前体引入所述反应室；(b)随后，在一些前体仍吸附在所述衬底表面上的同时，将至少一些未吸附的前体从所述反应室清除；(c)将所述衬底表面暴露于等离子体以驱动吸附在所述衬底表面上的所述电介质膜前体的反应以形成所述电介质膜堆叠的一部分；在沉积所述第一电介质部分后，通过包含下述步骤的工艺形成所述电介质膜堆叠的第一富氮和/或富碳部分：(d)在允许掺杂剂物质贡献氮和/或碳到部分形成的所述电介质膜堆叠的条件下，将在(a)‑(c)中未引入的含碳和/或含氮掺杂剂物质引入所述反应室；在形成第一富氮和/或富碳部分后，通过包含两个或更多个电介质沉积循环的工艺沉积所述电介质膜堆叠的第二电介质部分；以及在沉积所述第二电介质部分之后通过包含(d)的工艺形成所述电介质膜堆叠的第二富氮和/或富碳部分；其中，在所述电介质膜堆叠沉积后，在所述堆叠的所述第一或第二富氮和/或富碳部分中的任意部分中的所述氮和/或碳的浓度大于所述堆叠的所述第一或第二电介质部分中的任意部分中的所述氮和/或碳的浓度。