[发明专利]用于X射线衍射测量的具有针对非理想传感器行为的校正的多次采样CMOS传感器有效

专利信息
申请号: 201280053726.0 申请日: 2012-10-30
公开(公告)号: CN103946692A 公开(公告)日: 2014-07-23
发明(设计)人: R·D·杜尔斯特;G·A·瓦克特;J·凯尔彻 申请(专利权)人: 布鲁克AXS公司
主分类号: G01N23/00 分类号: G01N23/00;G01N23/20
代理公司: 北京北翔知识产权代理有限公司 11285 代理人: 杨勇;郑建晖
地址: 美国威*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 通过一个五步骤处理来降低CMOS有源像素传感器中的每个像素的读出噪声,在该五步骤处理中,在一个传感器帧时间段期间对来自该传感器的像素电荷数据进行多次无损采样,且针对增益变化和非线性校正该像素电荷数据。然后,估计固定图案噪声和暗电流噪声,且将其从经校正的像素电荷数据减去。接下来,估计复位噪声,且将其从该像素电荷数据中减去。在步骤四中,将电荷与时间的关系的模型函数拟合到经校正的像素电荷数据样本。最后,在帧边界时间处评估经拟合的模型函数。
搜索关键词: 用于 射线 衍射 测量 具有 针对 理想 传感器 行为 校正 多次 采样 cmos
【主权项】:
一种用于针对X射线衍射系统的CMOS传感器中的非理想行为来校正像素电荷数据的方法,包括,针对该传感器中的每个像素:(a)在一个传感器帧时间段期间多次对该像素中积累的电荷进行无损采样,且针对增益变化和非线性来校正每个样本值;(b)针对该像素来估计固定图案噪声和暗电流噪声,且从每个经校正的样本值中减去所估计的固定图案噪声和暗电流噪声;(c)针对该像素来估计复位噪声,且从在步骤(b)中经校正的每个样本值中减去所估计的复位噪声,以产生多个经校正的样本值;(d)将电荷与时间的关系的模型基函数拟合到在步骤(c)中产生的经校正的样本值;以及(e)在该帧时间段结束处评估经拟合的模型基函数。
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