[发明专利]独立自支撑膜的制造及其在纳米颗粒图案合成中的应用

摘要

本专利公开了一种均匀孔径、特定形状以及规则孔分布的独立自支撑多孔膜加工方法，以及其在纳米颗粒图案合成中的应用。本方法包括将光致抗蚀剂层涂覆于基底上表面，首先将其加热相应时间段，然后通过具有预设图案的掩模版使该光致抗蚀剂层通过紫外曝光，并控制所述紫外线辐射剂量的强度和时间实现剂量控制，以便所述紫外线辐射剂量通过并进入所述光致抗蚀剂层顶部比与所述基底表面紧邻的光致抗蚀剂层底部经受更多的交联，从而在所述光致抗蚀剂层的厚度内产生交联梯度。由于与基低表面相邻的膜部分与膜表面相比交联程度低，去除掩模版后容易将膜层从基底表面分离。分离后的膜形成是具有特定图形分布的独立自支撑多孔膜。当沉积在UV透明基底上时，该方法也可以用正性光致抗蚀剂材料，以便将光致抗蚀剂从其顶部通过掩模对掩模版进行UV曝光并且从透明基底的背部掩模版进行直接无掩模的UV曝光。

主权项

用负性光致抗蚀剂制造独立自支撑聚合物多孔膜的方法，其包括以下步骤：a)提供具表面的基底并且将负性光致抗蚀剂层涂覆于所述基底的表面；b)将所述光致抗蚀剂层加热特定时间段；c)通过具有预设图案的掩模版将所述光致抗蚀剂层通过一定紫外辐射剂量进行曝光，控制所述紫外辐射强度以及曝光时间，以便一定所述光致抗蚀剂层的顶部吸收的紫外线辐射剂量比与所述基底表面紧邻的光致抗蚀剂层底部吸收的紫外辐射剂量更多，从而在所述光致抗蚀剂层的厚度内产生交联梯度；d)将所述掩模版移开；e)将所述光致抗蚀剂层再加热一定时间段；以及f)将所述基底和光致抗蚀剂浸入显影剂溶液，并且将光致抗蚀剂层与所述基底分离以形成具有反映所述掩模版图案的独立自支撑聚合物多孔膜。