[发明专利]劣化分析方法

摘要

本发明提供一种能对含有两种以上二烯系聚合物的高分子材料的劣化状态，特别是表面状态的劣化状态进行详细分析的劣化分析方法。本发明涉及一种劣化分析方法，该方法通过对含有两种以上二烯系聚合物的高分子材料照射高亮度X射线，在改变X射线能量的同时测定X射线吸收量，来分析各二烯系聚合物的劣化状态。

主权项

一种劣化分析方法，该方法通过对含有两种以上二烯系聚合物的高分子材料照射高亮度X射线，在改变X射线能量的同时测定X射线吸收量，来分析各个不同的二烯系聚合物的劣化状态，其中，所述方法包括：预先对至少两种二烯系聚合物进行碳原子K壳层吸收端附近的NEXAFS测定；通过将高亮度X射线的能量设定为260～400eV的范围对碳原子K壳层吸收端的必要范围进行扫描，获得劣化前试样中的碳原子K壳层吸收端的NEXAFS测定结果以及劣化后试样中的碳原子K壳层吸收端的NEXAFS测定结果；根据所述NEXAFS测定中得到的X射线吸收光谱，由下述式1‑1计算出规格化常数α和β；获得用所述规格化常数α和β修正的碳原子K壳层吸收端的X射线吸收光谱；使用高斯函数、罗伦兹函数、或者高斯函数与罗伦兹函数权重总和的任意函数对各个不同的二烯系聚合物中归属于285eV附近的π*跃迁的峰进行波形分离；以及用各峰面积由下述式1‑2求出各个不同的二烯系聚合物的劣化度，式1‑1[劣化前试样测定范围的X射线吸收光谱的总面积]×α＝1[劣化后试样测定范围的X射线吸收光谱的总面积]×β＝1式1‑2[1‑[(劣化后各个不同的二烯系聚合物的π*的各峰面积)×β]/[(劣化前各个不同的二烯系聚合物的π*的各峰面积)×α]]×100＝劣化度(％)，其中所述NEXAFS测定使用电子产额法，以及所述劣化度是指从劣化前至劣化后的归属于各个不同的二烯系聚合物的π*峰的减少率。