[发明专利]光电子半导体芯片和用于制造光电子半导体芯片的方法有效
| 申请号： | 201280053075.5 | 申请日： | 2012-10-11 |
| 公开（公告）号： | CN103907210A | 公开（公告）日： | 2014-07-02 |
| 发明（设计）人： | 马丁·鲁道夫·贝林格;马库斯·布勒尔;克里斯托夫·克伦普 | 申请（专利权）人： | 欧司朗光电半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/22 | 分类号： | H01L33/22 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 丁永凡;张春水 |
| 地址： | 德国雷*** | 国省代码： | 德国;DE |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 在光电子半导体芯片(1)的至少一个实施形式中，所述光电子半导体芯片包括半导体层序列(2)以用于产生电磁辐射。半导体层序列(2)具有光出射侧(25)，将光耦合输出层(4)安置在所述光出射侧上。光耦合输出层(4)包括由对于所产生的辐射而言透射的材料制成的辐射不活跃的纳米晶体(40)。对于所产生的辐射而言，纳米晶体(40)的材料的折射率为至少1.9或至少2.2。 | ||
| 搜索关键词： | 光电子 半导体 芯片 用于 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种光电子半导体芯片(1)，具有‑半导体层序列(2)，所述半导体层序列具有用于产生电磁辐射的有源层(20)和具有光出射侧(25)，以及‑光耦合输出层(4)，所述光耦合输出层安置在所述光出射侧(25)上，其中‑所述光耦合输出层(4)包括由对于所产生的所述辐射而言透射的材料制成的辐射不活跃的纳米晶体(40)或由其制成，并且‑透射辐射的所述材料的折射率对于所述辐射而言为至少1.9。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于欧司朗光电半导体有限公司，未经欧司朗光电半导体有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201280053075.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
