[发明专利]磁传感器有效

专利信息
申请号: 201280052861.3 申请日: 2012-10-25
公开(公告)号: CN104024877A 公开(公告)日: 2014-09-03
发明(设计)人: 西田聪佑;高塚俊德 申请(专利权)人: 旭化成微电子株式会社
主分类号: G01R33/07 分类号: G01R33/07;G01R15/20;H01L43/04;H01L43/06
代理公司: 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 代理人: 刘新宇
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明的磁传感器具备检测磁力的霍尔传感器以及用于进行霍尔传感器的驱动和信号处理的IC,IC具有两层以上的多个金属布线层,霍尔传感器和IC通过引线布线电连接并且被封入到一个封装体内。用于将霍尔传感器的输出电压输入到IC所具备的信号处理部的金属布线具备立体交叉部,以抑制由于从外部施加的磁通密度的变化而在与霍尔传感器的输出端子和霍尔传感器的输出电极焊盘相连接的引线布线以及用于将霍尔传感器的输出电压输入到IC所具备的信号处理部的IC上的金属布线上产生的感应电动势。由此,抑制由磁通密度的急剧变化引起的感应电动势的影响,提供电流传感器所需的高速应答性。
搜索关键词: 传感器
【主权项】:
一种磁传感器,该磁传感器在一个封装体内封入有检测磁力的霍尔传感器、进行该霍尔传感器的驱动和信号处理的IC以及将上述霍尔传感器和上述IC连接的引线布线,该磁传感器的特征在于,具备立体交叉部,该立体交叉部是将配置在上述IC上的正极霍尔输出用电极焊盘和上述信号处理部连接的第一金属布线以及将配置在上述IC上的负极霍尔输出用电极焊盘和上述信号处理部连接的第二金属布线中的至少一方或者相互立体交叉的立体交叉部。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于旭化成微电子株式会社,未经旭化成微电子株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201280052861.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top