[发明专利]具有半导体特性的化合物及相关组合物和装置有效
| 申请号： | 201280052522.5 | 申请日： | 2012-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN103958520A | 公开（公告）日： | 2014-07-30 |
| 发明（设计）人： | H·乌斯塔;达米恩·布迪涅;J·奎因;A·菲奇提 | 申请（专利权）人： | 破立纪元有限公司 |
| 主分类号： | C07D493/04 | 分类号： | C07D493/04;C07D495/04;H01L29/786;H01L51/30;H01L21/336;H01L51/05 |
| 代理公司： | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人： | 牟静芳;武晶晶 |
| 地址： | 美国伊*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： |
披露了具有半导体特性的新化合物。这类化合物可以在低于约50℃的一个温度下以溶液相加工成薄膜半导体，这些薄膜半导体展现出高载流子迁移率和/或良好的电流调制特征。 |
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| 搜索关键词： | 具有 半导体 特性 化合物 相关 组合 装置 | ||
【主权项】：
一种具有化学式I的化合物：![]()
其中：X选自S、O及CH＝CH；Y选自S、O及CH＝CH；Z是H或CHR1R1'；R1、R1'、R2及R2'独立地选自一个直链C1‑40烷基、一个直链C2‑40烯基、及一个直链C1‑40卤烷基；并且m在每次出现时独立地选自0、1、2、3及4。
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