[发明专利]光电变换装置及其制造方法、以及光电变换模块

摘要

一种光电变换装置(1)，在通过受光生成光生载流子的n型半导体基板(11)的第一面上，依次层叠实质上本征的i型非晶质含氢半导体层(12)、p型非晶质含氢半导体层(13)、以及第1透明导电层(14)，其中，第1透明导电层(14)具有：含氢区域(142)，由含氢的透明导电性材料构成；以及氢扩散抑制区域(141)，相比于含氢区域(142)在p型非晶质含氢半导体层(13)侧存在且由实质上不含氢的透明导电性材料构成，氢扩散抑制区域(141)具有p型非晶质含氢半导体层(13)侧的含氢量少于含氢区域(142)侧的含氢量的氢浓度分布。

主权项

一种光电变换装置，在通过受光来生成光生载流子的n型半导体基板的第一面上，依次层叠了实质上本征的半导体层、p型半导体层、以及透明导电层，该光电变换装置的特征在于，所述透明导电层具有：含氢区域，由含氢的透明导电性材料构成；以及氢扩散抑制区域，相比于所述含氢区域存在于所述p型半导体层侧，由实质上不含氢的透明导电性材料构成，所述氢扩散抑制区域具有所述p型半导体层侧的含氢量少于所述含氢区域侧的含氢量的氢浓度分布。