[发明专利]穿晶片通路设备以及其制造方法

摘要

本发明涉及一种穿晶片通路设备（10），包括晶片（12），所述晶片（12）由晶片材料制成并且具有第一晶片表面（12a）和与所述第一晶片表面（12a）相对的第二晶片表面（12b）。所述穿晶片通路设备（10）还包括多个并排的第一沟槽（14），所述第一沟槽（14）被提供有导电材料并且从所述第一晶片表面（12a）延伸到所述晶片（12）中，使得在各所述第一沟槽（14）之间形成所述晶片材料的多个间隔（16）。所述穿晶片通路设备（10）还包括第二沟槽（18），所述第二沟槽（18）被提供有所述导电材料并且从所述第二晶片表面（12b）延伸到所述晶片（12）中，所述第二沟槽（18）被连接到所述第一沟槽（14）。所述穿晶片通路设备（10）还包括导电层（20），所述导电层（20）由所述导电材料制成，并且被形成在所述第一晶片表面（12a）的侧部上，所述导电材料填充所述第一沟槽（14），使得第一导电层（20）具有基本上平面且封闭的表面。

主权项

1.一种穿晶片通路设备(10)，包括：‑晶片(12)，其由晶片材料制成并且具有第一晶片表面(12a)和与所述第一晶片表面(12a)相对的第二晶片表面(12b)，‑多个并排的第一沟槽(14)，其被提供有导电材料并且从所述第一晶片表面(12a)延伸到所述晶片(12)中，使得在各所述第一沟槽(14)之间形成所述晶片材料的多个间隔(16)，‑第二沟槽(18)，其被提供有所述导电材料并且从所述第二晶片表面(12b)延伸到所述晶片(12)的所述晶片材料中，所述第二沟槽(18)被连接到所述第一沟槽(14)，其中所述第二沟槽的宽度小至20μm，并且所述第二沟槽(18)是通过在形成所述第一沟槽(14)之后在所述第一晶片表面上(12a)上施加蚀刻停止层(13)进而从所述第二晶片表面(12b)蚀刻到所述晶片(12)中而形成的，‑第一导电层(20)，其由导电材料制成，并且被形成在所述第一晶片表面(12a)的侧部上，所述导电材料填充所述第一沟槽(14)，使得所述第一导电层(20)具有基本上平面且封闭的表面，所述基本上平面且封闭的表面覆盖经填充的第一沟槽并形成经填充的各沟槽间的电连接。