[发明专利]二氧杂蒽嵌蒽化合物、层压结构及其形成方法、以及电子器件及其制造方法无效
| 申请号： | 201280049303.1 | 申请日： | 2012-10-04 |
| 公开（公告）号： | CN103874704A | 公开（公告）日： | 2014-06-18 |
| 发明（设计）人： | 小林典仁;五十岚绘里;胜原真央 | 申请（专利权）人： | 索尼公司 |
| 主分类号： | C07D495/22 | 分类号： | C07D495/22;C07D495/16;H01L29/786;H01L31/10;H01L51/05;H01L51/30;H01L51/42 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 余刚;梁韬 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： |
提供了一种例如用以下结构式（1）表示的二氧杂蒽嵌蒽化合物。 |
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| 搜索关键词： | 二氧 杂蒽嵌蒽 化合物 层压 结构 及其 形成 方法 以及 电子器件 制造 | ||
【主权项】：
1.一种用选自由以下结构式（1）至结构式（9）构成的组中的任何一个结构式表示的二氧杂蒽嵌蒽化合物，![]()
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其中，X表示选自由氧、硫、硒和碲构成的组中的一种原子，其中，Y表示选自由氧、硫、硒和碲构成的组中的一种原子，并且其中，R、A1和A2各自表示氢原子或选自由烷基、环烷基、链烯基、炔基、芳基、芳基烷基、芳族杂环、杂环基、烷氧基、环烷氧基、芳氧基、烷硫基、环烷硫基、芳硫基、烷氧基羰基、芳氧基羰基、氨磺酰基、酰基、酰氧基、酰胺基、氨基甲酰基、脲基、亚磺酰基、烷基磺酰基、芳基磺酰基、氨基、卤原子、氟代烃基、氰基、硝基、羟基、巯基以及甲硅烷基构成的组中的取代基。
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