[发明专利]绝缘膜及其制造方法有效
| 申请号： | 201280049140.7 | 申请日： | 2012-10-04 |
| 公开（公告）号： | CN103875077A | 公开（公告）日： | 2014-06-18 |
| 发明（设计）人： | 宫永美纪;粟田英章;冈田浩;栗巢贤一;安东靖典;高桥英治;藤原将喜 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社;日新电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;C23C14/08;C23C16/42;H01L21/318;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 金龙河;穆德骏 |
| 地址： | 日本大阪*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供一种绝缘膜，其为含有硅原子、氟原子及氮原子的绝缘膜，所述绝缘膜具备配置在含有氧原子的基板上的第一氮化硅膜和以与该第一氮化硅膜接触的方式配置的第二氮化硅膜，该第二氮化硅膜中含有的氟量比该第一氮化硅膜中含有的氟量多，并且提供一种半导体元件，其具有含有铟原子及氧原子的氧化物半导体层以及含有硅原子、氟原子及氮原子的绝缘膜。该半导体元件可以为薄膜晶体管。 | ||
| 搜索关键词： | 绝缘 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种绝缘膜，其为含有硅原子、氟原子及氮原子的绝缘膜，所述绝缘膜具备：配置在含有氧原子的基板上的第一氮化硅膜、和以与所述第一氮化硅膜接触的方式配置的第二氮化硅膜，所述第二氮化硅膜中含有的氟量比所述第一氮化硅膜中含有的氟量多。
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