[发明专利]薄膜的区段熔融重结晶无效
| 申请号： | 201280048661.0 | 申请日： | 2012-09-13 |
| 公开（公告）号： | CN103930968A | 公开（公告）日： | 2014-07-16 |
| 发明（设计）人： | 拉里·亨德勒;莎伦·泽维;德普·李 | 申请（专利权）人： | 集成光伏公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京鸿德海业知识产权代理事务所(普通合伙) 11412 | 代理人： | 袁媛 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 太阳电池包括重结晶层，其中所述重结晶层具有太阳电池的照射区域的大小的至少90%的至少一个晶体晶粒。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 区段 熔融 重结晶 | ||
【主权项】：
重结晶材料层的方法，包括以下步骤：选择衬底，所述衬底具有沉积到所述衬底上的层；推进所述衬底经过第一区段S，从而在所述沉积层的至少部分内建立温度TS，其中TS小于所述层的熔点TMP；推进所述衬底经过第二区段I，从而在所述沉积层的至少部分内建立温度TI，其中TI大于TS；推进所述衬底经过第三区段M，从而在所述沉积层的至少部分内建立温度TM，其中TM大于TMP；并且推进所述衬底经过第四区段R，从而在所述沉积层的至少部分内建立温度TR，其中TR低于所述沉积层的TMP并且高于预定温度X*TMP持续至少Y秒，其中在约Q mm/sec的速率下依次推进所述衬底和层经过所述第一至第四区段，从而在所述沉积层的至少部分内建立每个区段的温度标准，同时所述部分在物理上处于相应区段内。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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