[发明专利]半导体器件有效
| 申请号： | 201280047630.3 | 申请日： | 2012-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN103843146A | 公开（公告）日： | 2014-06-04 |
| 发明（设计）人： | 本田达也;津吹将志;野中裕介;岛津贵志;山崎舜平 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;G02F1/1368;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 叶晓勇;胡莉莉 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 包括氧化物半导体膜的半导体器件中的导通态电流的降低得到抑制。一种晶体管，包括：氧化物半导体膜；绝缘膜，包含氧和硅；栅电极，与氧化物半导体膜相邻，氧化物半导体膜设置成与绝缘膜相接触并且至少与栅电极重叠；以及源电极和漏电极，电连接到氧化物半导体膜。在氧化物半导体膜中，第一区域(其设置成接触与绝缘膜的界面并且具有小于或等于5nm的厚度)具有低于或等于1.0at.%的硅浓度，以及氧化物半导体膜中与第一区域不同的区域具有比第一区域低的硅浓度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：绝缘膜；氧化物半导体膜，在所述绝缘膜之上并且与其接触；源电极和漏电极，电连接到所述氧化物半导体膜；以及栅电极，与所述氧化物半导体膜相邻，其中，所述绝缘膜包含硅和氧，所述氧化物半导体膜包含与所述绝缘膜相接触的第一区域，以及所述第一区域中的硅的浓度低于或等于1.0 at.％。
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