[发明专利]掩模数目减少的自对准金属氧化物TFT

摘要

一种在透明衬底上制造MOTFT的方法，其包括以下步骤：在所述衬底的正面上布置限定栅极区域的不透明栅极金属，在所述衬底的正面上沉积覆盖所述栅极金属和周围区域的栅极电介质材料，以及在所述栅极电介质材料上沉积金属氧化物半导体材料。在所述半导体材料上沉积蚀刻终止材料。在所述蚀刻终止材料上布置光致抗蚀剂，所述蚀刻终止材料和所述光致抗蚀剂可被选择性去除，并且所述光致抗蚀剂限定所述半导体材料中的隔离区域。去除蚀刻终止的未覆盖部分。使用所述栅极金属作为掩模从所述衬底的背面使所述光致抗蚀剂曝光并且去除曝光部分以使得除了覆盖所述栅极金属且与所述栅极金属对准的部分以外的蚀刻终止材料是未覆盖的。蚀刻所述半导体材料的未覆盖部分以隔离TFT。使用所述光致抗蚀剂，选择性蚀刻所述蚀刻终止层以留下一部分蚀刻终止层覆盖所述栅极金属且与所述栅极金属对准并且限定所述半导体材料中的沟道区域。在所述蚀刻终止层上和所述半导体材料上沉积导电材料并将所述导电材料图案化以在所述沟道区域的相对侧上形成源极区域和漏极区域。

主权项

一种在透明衬底上制造金属氧化物TFT的方法，其包括以下步骤：提供具有正面和背面的透明衬底；在所述衬底的正面上布置限定TFT的栅极区域的不透明栅极金属；在所述衬底的正面上沉积覆盖所述栅极金属和周围区域的透明栅极电介质材料层，并在透明栅极电介质层的表面上沉积透明金属氧化物半导体材料层；在所述金属氧化物半导体材料层上沉积蚀刻终止材料层；在所述蚀刻终止材料层上布置光致抗蚀剂材料，所述蚀刻终止材料和所述光致抗蚀剂材料可被选择性去除，所述光致抗蚀剂材料被图案化或被选择性去除以限定所述透明金属氧化物半导体材料层中的隔离区域；去除所述蚀刻终止材料层的未覆盖部分，所述蚀刻终止材料层的剩余部分形成金属氧化物半导体材料蚀刻掩模；使用所述衬底的正面上的所述不透明栅极金属作为掩模从所述衬底的背面使所述光致抗蚀剂材料曝光并且去除所述光致抗蚀剂材料的曝光部分以使得除了覆盖所述栅极金属且与所述栅极金属对准的部分以外的蚀刻终止材料层是未覆盖的；使用所述金属氧化物半导体材料蚀刻掩模，蚀刻所述金属氧化物半导体材料的未覆盖部分以隔离所述TFT；使用直接覆盖所述栅极金属且与所述栅极金属对准的这部分光致抗蚀剂材料，选择性蚀刻所述蚀刻终止层的未覆盖部分，以留下一部分蚀刻终止层覆盖所述栅极金属且与所述栅极金属对准，这部分蚀刻终止层限定所述金属氧化物半导体材料层中的沟道区域；以及在覆盖所述栅极金属且与所述栅极金属对准的这部分蚀刻终止层上以及在所述金属氧化物半导体材料层上沉积导电材料并将所述导电材料图案化以在所述沟道区域的相对侧上形成源极区域和漏极区域。