[发明专利]利用再生长沟道的GaN垂直JFET的方法和系统

摘要

一种垂直的第III族氮化物场效应晶体管，包括包含第一第III族氮化物材料的漏极；电耦合到漏极的漏极接触部；以及耦合到漏极的包含第二第III族氮化物材料的漂移区。该场效应晶体管还包括耦合到漏极并且沿垂直方向与漏极相邻布置的包含第三第III族氮化物材料的沟道区；至少部分包围沟道区的栅极区。该场效应晶体管还包括耦合到沟道区的源极；以及电耦合到源极的源极接触部。沟道区沿垂直方向布置在漏极与源极之间使得在垂直的第III族氮化物场效应晶体管的操作期间的电流流动沿着垂直方向，并且沟道区沿栅极区的第二表面的至少一部分延伸。

主权项

一种用于制造垂直JFET的方法，所述方法包括：提供GaN衬底；形成耦合到所述GaN衬底的n型GaN外延层；形成耦合到所述n型GaN外延层的p型GaN外延层，其中所述p型GaN外延层的特征在于p型掺杂剂浓度；移除所述p型GaN外延层的至少一部分以露出所述n型GaN外延层的一部分；形成耦合到所述p型GaN外延层的至少一部分和所述n型GaN外延层的n型GaN沟道区；形成耦合到所述n型GaN沟道区的n型GaN外延结构；形成电耦合到所述GaN衬底的第一金属结构；形成电耦合到所述p型GaN外延层的第二金属结构；以及形成电耦合到所述n型GaN外延结构的第三金属结构。