[发明专利]具备原料浓度检测结构的原料气化供给装置有效
| 申请号: | 201280043162.2 | 申请日: | 2012-07-17 | 
| 公开(公告)号: | CN103797563A | 公开(公告)日: | 2014-05-14 | 
| 发明(设计)人: | 永瀬正明;平田薰;日高敦志;西野功二;池田信一;中村刚 | 申请(专利权)人: | 株式会社富士金 | 
| 主分类号: | H01L21/205 | 分类号: | H01L21/205;C23C16/455 | 
| 代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 孔青;孟慧岚 | 
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP | 
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| 摘要: | 本发明可正确调整载气与原料气体的混合气体内的原料浓度,而且可在高精度的流量控制下向处理室稳定供料,与此同时可不使用昂贵的浓度计等而简单、高精度地检测混合气体内的原料气体蒸气浓度,实时显示。本发明提供通过质量流量控制器3向来源罐5内供给载气GK,由来源罐5内释放载气GK,与此同时将通过恒温部使来源罐5保持恒定温度而产生的原料4的饱和蒸气G与上述载气GK的混合气体GS供给至处理室的原料气化供给装置,其中,在来自于上述来源罐5的混合气体GS的流出通路上设置自动压力调整装置8,与此同时在其下游侧设置质量流量计9,通过开闭控制上述自动压力调整装置8的控制阀8a,将来源罐5的内部压力P0控制为规定值,将由上述质量流量控制器3所致的载气GK的流量Q1、上述罐内压力P0和上述质量流量计9的混合气体GS的流量QS的各自检测值输入原料浓度运算部10,在该原料浓度运算部10按Q2=QS×PM0/P0运算原料流量Q2(其中,PM0为来源罐内的温度为t℃时的原料蒸气G的饱和蒸气压),利用该原料流量Q2按K=Q2/QS运算、显示供给至上述处理室的混合气体GS的原料气体蒸气浓度K。 | ||
| 搜索关键词: | 具备 原料 浓度 检测 结构 气化 供给 装置 | ||
【主权项】:
                 具备原料浓度检测结构的原料气化供给装置,其特征在于,为如下结构:在通过质量流量控制器3向来源罐5内供给载气GK,由来源罐5内释放载气GK,与此同时将通过恒温部6使来源罐5保持恒定温度而产生的原料4的饱和蒸气G与所述载气GK的混合气体GS供给至处理室的原料气化供给装置中,在来自于所述来源罐5的混合气体GS的流出通路上设置自动压力调整装置8和质量流量计9,通过开闭控制所述自动压力调整装置8的控制阀8a,将来源罐5的内部压力P0控制为规定值,将由所述质量流量控制器3所致的载气GK的流量Q1、所述罐内压力P0和所述质量流量计9的混合气体GS的流量QS的各自检测值输入原料浓度运算部10,在所述原料浓度运算部10,按Q2=QS×PM0/P0计,运算原料流量Q2,其中,PM0为来源罐内的温度为t℃时的原料蒸气G的饱和蒸气压,利用所述原料流量Q2,按K=Q2/QS计,运算、显示供给至所述处理室的混合气体GS的原料浓度K。
            
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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