[发明专利]场致发射型电子源有效
| 申请号： | 201280041417.1 | 申请日： | 2012-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN103765544A | 公开（公告）日： | 2014-04-30 |
| 发明（设计）人： | 片桐创一;大岛卓;伊东祐博 | 申请（专利权）人： | 株式会社日立高新技术 |
| 主分类号： | H01J1/304 | 分类号： | H01J1/304;H01J37/06;H01J37/073 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 海坤 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 为了延长场致发射型电子源的寿命，当增加扩散补偿源(1)即氧化锆的容积或重量时，存在容易对扩散补偿源(1)自身或钨针(2)带来损伤这样的课题。作为进一步的课题，还考虑为了避免上述课题而通过薄膜来形成扩散补偿源(1)的情况，但难以稳定得到超过8000小时的实用的寿命。本发明提供一种不会产生扩散补偿源(1)的缺损或破裂，且通过少量的扩散补偿源(1)的增量就能够延长寿命的场致发射型电子源，清楚可知能够稳定得到超过8000小时的实用的寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 发射 电子 | ||
【主权项】：
一种场致发射型电子源，其具备：针，其使棒状单晶钨的前端的一端变尖且将该前端的一端作为结晶面(100)，并且，在该针的侧周部以规定的厚度及长度成形有氧化锆来作为扩散补偿源；该针的加热机构；以及抑制电极，所述场致发射型电子源对该针进行加热来对该针的前端施加电场而放出电子，所述场致发射型电子源的特征在于，在所述扩散补偿源的长度为L且所述扩散补偿源的最大厚度为t时，满足t/L＜3/50，且所述扩散补偿源的厚度为10μm以上的范围。
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