[发明专利]图像传感器的单位像素及其光电探测器有效
| 申请号: | 201280040525.7 | 申请日: | 2012-08-29 |
| 公开(公告)号: | CN103930993B | 公开(公告)日: | 2016-11-09 |
| 发明(设计)人: | 金勳 | 申请(专利权)人: | 金勳 |
| 主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L27/14 |
| 代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国 |
| 地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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| 摘要: | 公开了一种图像传感器的单位像素及其光电探测器。被配置为吸收光的本发明的光电探测器可以包括:光吸收部件,被配置为通过形成为浮动结构来吸收光;与所述光吸收部件的一个表面接触的氧化物膜;源极,与所述氧化物膜的另一表面的一侧接触,并与所述光吸收部件分离开,其中在所述源极和所述光吸收部件之间具有所述氧化物膜;漏极,面对所述源极以与所述氧化物膜的所述另一表面的另一侧接触,并且与所述光吸收部件分离开,其中在所述漏极和所述光吸收部件之间具有所述氧化物膜;以及在所述源极和漏极之间形成的沟道,被配置为在所述源极和漏极之间形成电流流动。 | ||
| 搜索关键词: | 图像传感器 单位 像素 及其 光电 探测器 | ||
【主权项】:
一种光电探测器,被配置为在用于将吸收的光变换为电信号的图像传感器的单位像素中吸收光,所述光电探测器包括:光吸收部件,被配置为通过形成为浮动结构而吸收光;与所述光吸收部件的一个表面接触的氧化物膜;源极,与所述氧化物膜的另一表面的一侧接触,并与所述光吸收部件分离开,其中在所述源极和所述光吸收部件之间具有所述氧化物膜;漏极,面对所述源极以与所述氧化物膜的所述另一表面的另一侧接触,并且与所述光吸收部件分离开,其中在所述漏极和所述光吸收部件之间具有所述氧化物膜;以及在所述源极和漏极之间插入的沟道,被配置为在所述源极和漏极之间形成电流流动,其中,所述光吸收部件掺杂有第一类型杂质,所述源极和漏极掺杂有第二类型杂质,其中,所述光吸收部件通过所述氧化物膜而与所述源极和漏极绝缘,其中,通过利用集中在所述氧化物膜中的电场而发生的隧穿现象,由所吸收的光产生的电子‑空穴对中的电子朝向所述源极和漏极移动,并且通过由电子的移动引起的所述光吸收部件的电荷量变化来控制所述沟道的电流的流动,其中,所述光吸收部件由多晶硅形成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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