[发明专利]垂直磁记录介质中的软磁性薄膜层用合金和溅射靶材

摘要

本发明提供一种具有低矫顽力的垂直磁记录介质中的软磁性薄膜层用合金。该合金包含如下成分选自Ti、Zr、Hf、Nb、Ta和B中的1种以上；W和Sn中的1种或2种(其中，W和Sn中的1种或2种的一部分或全部亦可被V和Mn中的1种或2种置换)；根据需要而选自Al、Cr、Mo、Si、P、C和Ge中的1种以上；根据需要含有的Ni和Cu中的1种或2种；以及余量含有Co和Fe，并且以at.％计满足(1)6≤Ti％+Zr％+Hf％+Nb％+Ta％+B％／2≤24；(2)Zr％+Hf％≤14；(3)3≤W％+Sn％≤19；(4)0.20≤Fe％／(Fe％+Co％)≤0.90；(5)3≤W％+Sn％+V％+Mn％≤19(其中，V％+Mn％可以为0)；(6)0≤Al％+Cr％+Mo％+Si％+P％+C％+Ge％≤9和(7)0≤Ni％+Cu％≤5。

主权项

一种合金，其是垂直磁记录介质中的软磁性薄膜层用合金，所述合金包含如下成分：‐选自Ti、Zr、Hf、Nb、Ta和B中的1种以上；‐W和Sn中的1种或2种，其中，W和Sn中的1种或2种的一部分或全部亦可被V和Mn中的1种或2种置换；‐根据需要而选自Al、Cr、Mo、Si、P、C和Ge中的1种以上；‐根据需要含有的Ni和Cu中的1种或2种；以及‐余量含有Co和Fe，并且，以at.％计满足下式：(1)9≤Ti％+Zr％+Hf％+Nb％+Ta％+B％/2≤24；(2)Zr％+Hf％≤8；(3)3≤W％+Sn％≤19；(4)0.20≤Fe％/(Fe％+Co％)≤0.90；(5)3≤W％+Sn％+V％+Mn％≤19，其中，V％+Mn％可以为0；(6)0≤Al％+Cr％+Mo％+Si％+P％+C％+Ge％≤9；和(7)0≤Ni％+Cu％≤5，并且，矫顽力降低量相对于饱和磁通密度降低量的比即[矫顽力降低量]/[饱和磁通密度降低量]为8以上，饱和磁通密度为0.3T以上，其中，所述饱和磁通密度降低量是满足式(1)、(2)和(4)的合金的饱和磁通密度和满足式(1)～(4)的合金的饱和磁通密度的差，所述矫顽力降低量是满足式(1)、(2)和(4)的合金的矫顽力和满足式(1)～(4)的合金的矫顽力的差。