[发明专利]真空处理装置

摘要

本发明提供一种真空处理装置(100)，其能够抑制处理的吞吐量的下降，为此，真空处理装置具备：多个真空搬运室(41，42)，其配置在大气搬运室(21)的后方，搬运被处理晶片，在真空搬运室的周围连结真空处理室(61，62，63)，真空处理室对所述被处理晶片使用等离子体实施处理；中间室(32)，其在所述真空搬运室(41，42)之间搬运的期间，载置并收纳所述被处理晶片；以及锁止室(31)，其在所述真空搬运室与所述大气搬运室(21)的背面之间配置，真空处理装置将在载置于处理盒台上的处理盒内收纳的所述被处理晶片经所述锁止室(31)向所述多个真空处理室(61，62，63)的任一个搬运而实施处理，在所述中间室(32)内配置有假晶片的收纳部，所述假晶片的收纳部当在所述处理室(61，62，63)内形成等离子体并在与所述处理不同的条件下，在各处理室(61，62，63)使用假晶片进行的处理时配置在所述处理室(61，62，63)内。

主权项

一种真空处理装置，其具备：大气搬运室，其在前表面具备处理盒台，并在大气压的内部搬运被处理晶片；多个真空搬运室，其配置在所述大气搬运室的后方，具有矩形的俯视形状，在减压后的内部搬运所述被处理晶片，在真空搬运室的周围连结真空处理室，真空处理室对搬运到减压后的内部而配置的所述被处理晶片使用在该内部形成的等离子体实施处理；中间室，其在该多个真空搬运室之间将多个真空搬运室连结起来而配置，在所述真空搬运室之间搬运的期间，载置并收纳所述被处理晶片；以及锁止室，其在所述真空搬运室与所述大气搬运室的背面之间将它们连结起来而配置，所述真空处理装置将在载置于所述处理盒台上的处理盒内收纳的所述被处理晶片经所述锁止室向所述多个真空处理室的任一个搬运而实施处理，在所述中间室内配置有假晶片的收纳部，所述假晶片的收纳部当在所述处理室内形成等离子体并在与所述处理不同的条件下，在各处理室使用假晶片进行的处理时配置在所述处理室内。