[发明专利]近场毫米波成像有效

专利信息
申请号: 201280037941.1 申请日: 2012-07-11
公开(公告)号: CN103718377A 公开(公告)日: 2014-04-09
发明(设计)人: A·巴巴卡尼;刘兑现;S·K·雷诺兹;M·A·桑度莱努 申请(专利权)人: 国际商业机器公司
主分类号: H01Q3/00 分类号: H01Q3/00
代理公司: 北京市中咨律师事务所 11247 代理人: 张亚非;于静
地址: 美国*** 国省代码: 美国;US
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 提供了用于近场毫米波成像的系统和方法,具体而言,提供了通过使用子波长探针元件扫描物体并捕捉和测量反射能的相位和强度以产生图像来实现子波长分辨率成像的近场毫米波成像系统和方法。
搜索关键词: 近场 毫米波 成像
【主权项】:
一种近场成像系统,包括:扫描设备,其适合于通过在给定工作频率上发射具有某一波长的电磁能,捕捉从目标物体反射的电磁能,以及测量所述反射能的强度和相位来扫描目标物体的表面,其中所述扫描设备包括具有子波长尺度的探针,该探针用于发射所述电磁能以及捕捉所述反射能;成像器,其使用所述反射能的所述测量的强度和相位来呈现所述目标物体的图像,其中所述图像被呈现为具有子波长分辨率。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于国际商业机器公司,未经国际商业机器公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201280037941.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top