[发明专利]用于制造太阳能电池的方法以及太阳能电池无效
| 申请号: | 201280037938.X | 申请日: | 2012-07-26 |
| 公开(公告)号: | CN103718311A | 公开(公告)日: | 2014-04-09 |
| 发明(设计)人: | 延斯·迪尔克·莫施纳;伊冯娜·加森鲍尔;阿加塔·拉霍维奇;马库斯·菲德勒;加布里埃莱·布伦丁;卡塔琳娜·德雷斯勒 | 申请(专利权)人: | 肖特太阳能控股公司 |
| 主分类号: | H01L31/068 | 分类号: | H01L31/068;H01L31/0216;H01L31/0236;H01L31/18 |
| 代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人: | 车文;张建涛 |
| 地址: | 德国*** | 国省代码: | 德国;DE |
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| 摘要: | 本发明涉及一种用于制造太阳能电池的方法和一种这样的太阳能电池。该太阳能电池包括硅基板,硅基板带有面向辐射的正面和背面、沿着背面伸展的第一介电层、沿着第一介电层的背离基板的侧面伸展的第二介电层,第二介电层由氮化硅、氧化硅、氮氧化硅的组中的一种材料制成,以及沿着第二介电层的背离基板的侧面延伸的金属层。为了能够能够重现地以少的过程步骤来制造带有特别高的效率的太阳能电池,提出了,基板的背面具有在60°入射角的情况下的在80GU以下的光泽度并且第一介电层含有位置固定的负电荷。 | ||
| 搜索关键词: | 用于 制造 太阳能电池 方法 以及 | ||
【主权项】:
一种太阳能电池(10),所述太阳能电池包括硅基板(21),所述硅基板带有:经过纹理工艺处理的并且具有n型掺杂区域(22)的、面向辐射的正面(OS)、带有具有p型掺杂区域的背面(RS)、带有沿着所述背面(RS)伸展的第一介电层(23)、带有沿着所述第一介电层的背离基板侧伸展的第二介电层(24),所述第二介电层是由氮化硅、氧化硅、氮氧化硅的组中的一种材料制成的或者包含该组中的一种材料以及沿着所述第二介电层的背离基板侧延伸的金属层(25),其特征在于,所述基板(21)的背面(RS)具有在60°入射角的情况下的在80GU以下的光泽度并且所述第一介电层(23)含有位置固定的负电荷。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





