[发明专利]等离子体处理装置以及等离子体处理方法有效
| 申请号： | 201280037016.9 | 申请日： | 2012-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN103718284A | 公开（公告）日： | 2014-04-09 |
| 发明（设计）人： | 置田尚吾;渡边彰三 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;H01L21/3065;H01L31/04 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 薛凯 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 干法蚀刻装置(1)具备搬运基板(5)的托架(3)。在托架(3)设有可收容(3)枚基板(5)的作为贯通孔的基板收容孔(4A～4C)。基板(5)被从基板收容孔(4A～4C)的孔壁突出的基板支撑部(11)支撑。在产生等离子体的腔室(2)内设有平台(21)。平台(21)具备基板载置部(27A～27C)，该基板载置部(27A～27C)从托架(3)的下面插入基板收容孔(4A～4C)、并且在作为其上端面的基板载置面(28)载置从基板支撑部(11)交付的基板(5)的下面。能够抑制装置的大型化同时，实现针对方形基板的高的形状控制性和良好的生产性。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 处理 装置 以及 方法 | ||
【主权项】：
一种等离子体处理装置，其具备：可移动的托架，其具备：被设置成在厚度方向上贯通并收容多个基板的至少1个基板收容孔、以及从该基板收容孔的孔壁突出并对所述基板收容孔内中收容的多个基板的下面的外周缘部分进行支撑的基板支撑部；等离子体产生源，其在所述托架被移入的腔室内使等离子体产生；和平台，其具备：配置在所述腔室内并支撑所述托架的托架支撑部、以及从所述托架的下面侧插入所述基板收容孔的基板载置部，其中在作为该基板载置部的上端面的基板载置面载置从所述基板支撑部交付的所述多个基板的下面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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