[发明专利]导电层合体、图案化导电层合体及使用该层合体得到的触控面板有效
申请号: | 201280035646.2 | 申请日: | 2012-07-27 |
公开(公告)号: | CN103703519B | 公开(公告)日: | 2016-01-27 |
发明(设计)人: | 佐藤义和;渡边修;上冈武则 | 申请(专利权)人: | 东丽株式会社;东丽薄膜先端加工股份有限公司 |
主分类号: | H01B5/14 | 分类号: | H01B5/14;B32B15/02;B32B15/08;G06F3/041;H01B1/22;H01B13/00 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 杨宏军 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供由导电区域(A)和非导电区域(B)形成的图案的非识别性高的图案化导电层合体。所述图案化导电层合体在基材的至少一侧具有图案化导电层,所述图案化导电层在面内具有在基质中含有具有网状结构的金属类线状结构体的导电区域(A)和基质中含有孤立分散的金属类分散体的非导电区域(B),所述图案化导电层合体满足下述(I)和(II)。(I)所述基质由含有下述结构的高分子形成,所述结构是具有2个以上利于聚合反应的碳-碳双键基团的化合物发生聚合反应得到的,并且来自碳-碳双键基团的结构的碳-碳双键基团的单元结构(>C=C<:式量24)部分相对于所述基质的总质量的质量含有率为9~26质量%,利用FT-IR-ATR法求出的碳-碳双键的伸缩振动的峰强度ν1与碳-氢单键(C-H)的伸缩振动的峰强度ν2的关系为ν1/ν2≥0.2。(II)所述非导电区域(B)中利用荧光X射线定量的金属成分的量是在所述导电区域(A)中利用荧光X射线定量的金属成分的量的0.5~0.9倍。 | ||
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【主权项】:
一种导电层合体,其是在基材的至少一面配置由导电成分和基质形成的导电层而得到的,所述导电成分具有由金属类线状结构体形成的网状结构,所述基质满足下述(i)~(iv),(i)所述基质由含有下述结构的高分子构成,所述结构是具有2个以上利于聚合反应的碳‑碳双键基团的化合物发生聚合反应而得到的;(ii)来自于碳‑碳双键基团的结构的碳‑碳双键基团的单元结构部分相对于基质总质量的质量含有率为9~26质量%,所述碳‑碳双键基团的单元结构是>C=C<,式量为24;(iii)利用FT‑IR‑ATR法求出的所述基质的碳‑碳双键的伸缩振动的峰强度ν1与碳‑氢单键、即C‑H的伸缩振动的峰强度ν2满足ν1/ν2≥0.2的关系;(iv)所述导电层的基质的表面平均厚度T为70~1000nm。
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