[发明专利]III族氮化物半导体发光元件及III族氮化物半导体发光元件的制作方法

摘要

提供一种被降低的正向电压的III族氮化物半导体激光元件。在p型包覆层中，以p型包覆层中的p型掺杂剂的浓度大于n型杂质的浓度的方式含有p型掺杂剂及n型杂质。通过使用比p型包覆层的带隙大的激发光的测定而获得的光致发光(PL)光谱具有能带端发光及施主受主对发光的波峰。该PL光谱的能带端发光峰值的能量E(BAND)与该PL光谱的施主受主对发光峰值的能量E(DAP)之差(E(BAND)-E(DAP))与该III族氮化物半导体激光元件(11)的正向驱动电压(Vf)具有相关。在该能量差(E(BAND)-E(DAP))为0.42eV以下时，III族氮化物半导体发光元件的正向电压施加时的驱动电压降低。

主权项

一种III族氮化物半导体发光元件，包含：n型包覆层，设置于基板的主面上，由n型III族氮化物半导体构成；活性层，设置于所述基板的所述主面上，由III族氮化物半导体构成；以及p型包覆层，设置于所述基板的所述主面上，由p型III族氮化物半导体构成，所述活性层设置于所述n型包覆层与所述p型包覆层之间，所述n型包覆层、所述活性层及所述p型包覆层沿着所述基板的所述主面的法线轴而配置，在所述p型包覆层中添加有提供受主能级的p型掺杂剂，所述p型包覆层中含有提供施主能级的n型杂质，所述p型掺杂剂的浓度大于所述n型杂质的浓度，所述p型包覆层的光致发光光谱的能带端发光峰值的能量E(BAND)与该光致发光光谱的施主受主对发光峰值的能量E(DAP)之差(E(BAND)‑E(DAP))为0.42电子伏特以下，这里，所述能带端发光的能量E(BAND)及所述施主受主对发光的能量E(DAP)以电子伏特的单位表示，所述n型包覆层的所述n型III族氮化物半导体的c轴相对于所述法线轴倾斜，所述p型包覆层的所述p型III族氮化物半导体的c轴相对于所述法线轴倾斜。