[发明专利]在成像式曝光于光化辐射下之后形成构图层的聚合物及其组合物有效
| 申请号： | 201280034811.2 | 申请日： | 2012-07-16 |
| 公开（公告）号： | CN103649220A | 公开（公告）日： | 2014-03-19 |
| 发明（设计）人： | 大西治;池田治生;田头宣雄;L·罗德斯;P·坎达纳拉什切 | 申请（专利权）人： | 住友电木株式会社;普罗米鲁斯有限责任公司 |
| 主分类号： | C08L65/00 | 分类号： | C08L65/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 陈季壮 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明公开了可用于形成可自成像薄膜的共聚物和包括这种共聚物的组合物。这些共聚物包括降冰片烯-型重复单元和马来酸酐-型重复单元，其中这种和马来酸酐-型重复单元中的至少一些被开环。由这些共聚物组合物形成的薄膜提供可自成像的低-k、热稳定层以供在微电子和光电器件中使用。 | ||
| 搜索关键词： | 成像 曝光 光化 辐射 之后 形成 构图 聚合物 及其 组合 | ||
【主权项】：
1.形成层的聚合物组合物，它包括：由降冰片烯-型重复单元和马来酸酐-型重复单元组成的可自成像的聚合物，其中：这种降冰片烯-型重复单元用式Ia表示，它衍生于式I表示的降冰片烯-型单体：![]()
其中m为0，1或2，对于所述第一类型的重复单元来说，每一R1,R2,R3和R4独立地为氢或在可见光光谱内具有高透明度的烃基侧基；这一马来酸酐-型重复单元用式IIa，IIb和IIc中的一个或更多个表示，它衍生于用式II表示的马来酸酐单体：![]()
其中R5和R6各自独立地为氢，甲基，乙基，氟化或全氟化甲基或乙基，直链或支链C3-C9烃基；直链或支链的氟化或全氟化C3-C9烃基；C6-C18取代或未取代的环状或多环烃基之一；光活性化合物(PAC)；含至少两个环氧基的环氧树脂；和溶剂。
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