[发明专利]发光元件及其制造方法有效
| 申请号： | 201280034634.8 | 申请日： | 2012-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN103650176A | 公开（公告）日： | 2014-03-19 |
| 发明（设计）人： | 鹿岛行雄;松浦惠里子;西原浩巳;田代贵晴;大川贵史;平山秀树;藤川纱千惠;尹成圆;高木秀树;上村隆一郎;长田大和 | 申请（专利权）人： | 丸文株式会社;东芝机械株式会社;独立行政法人理化学研究所;株式会社爱发科 |
| 主分类号： | H01L33/22 | 分类号： | H01L33/22;H01L33/32 |
| 代理公司： | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人： | 周靖;郑霞 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体发光元件，其特征在于，在光提取层具有由具有不同折射率的两个系统（结构体）构成的周期结构，即所述两个系统（结构体）的界面满足布拉格散射的条件，且具有光子带隙的光子晶体周期结构。 | ||
| 搜索关键词： | 发光 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体发光元件，其特征在于，在光提取层具有光子晶体周期结构，所述光子晶体周期结构由具有不同折射率的两个系统（结构体）构成，且具有光子带隙，其中所述两个系统（结构体）的界面满足布拉格散射的条件。
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