[发明专利]INGAAS光电二极管阵列

摘要

本发明涉及InGaAs光电二极管阵列（101）并且涉及用于制造InGaAs光电二极管阵列（101）的方法，其中所述阵列包括：阴极，所述阴极包括至少一个磷化铟衬底层（4）和有源铟镓砷化物层（5）；以及多个阳极（3），所述多个阳极（3）通过扩散P型掺杂剂至少部分地形成于所述有源铟镓砷化物层中，阳极（3）和阴极之间的相互作用形成光电二极管。根据所述方法，在形成所述阳极（3）的P型掺杂剂的扩散之前在有源层上设置磷化铟钝化层（6），以及执行第一选择性蚀刻以在其整个厚度上去除钝化层（6）的包围每个阳极（3）的区域（10）。

主权项

一种用于制造光电二极管的阵列(101)的方法，包括：‑阴极，所述阴极包括至少一个磷化铟衬底层(4)和铟镓砷化物有源层(5)，以及‑多个阳极(3)，所述多个阳极(3)通过P型掺杂剂的扩散至少部分地形成于所述铟镓砷化物有源层中，阳极(3)和所述阴极之间的协作形成光电二极管，其特征在于，所述方法包括以下步骤：‑在形成所述阳极(3)的P型掺杂剂的扩散之前在有源层(5)上制造N型磷化铟的钝化层(6)，以及‑实现钝化层的第一选择性蚀刻，以在其整个厚度上选择性地抑制所述钝化层(6)的包围每个阳极(3)的区域(10)，包围每个阳极的所述区域足够远离每个阳极，使得该第一选择性蚀刻不到达形成阳极的P型掺杂剂的扩散区域和钝化层(6)之间的结。