[发明专利]在集成电路中形成金属硅化物区域的方法无效
| 申请号： | 201280034286.4 | 申请日： | 2012-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN103650112A | 公开（公告）日： | 2014-03-19 |
| 发明（设计）人： | 迈克尔·G·沃德;伊戈尔·V·佩德斯 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/24 | 分类号： | H01L21/24;H01L21/324 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国;赵静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本文提供了在集成电路中形成金属硅化物区域的方法。在一些实施方式中，在集成电路中形成金属硅化物区域的方法包括下列步骤：在基板的第一区域中形成硅化物-电阻区域，该基板具有第一区域及第二区域，其中掩模层沉积于该基板的顶部并被图案化以暴露该第一区域；在于基板的第一区域中形成硅化物-电阻区域之后，移除掩模层；在第一区域的第一表面及第二区域的第二表面上沉积含金属层；以及退火处理沉积的含金属层，以在第二区域中形成第一金属硅化物区域。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 形成 金属硅 区域 方法 | ||
【主权项】：
一种在集成电路中形成金属硅化物区域的方法，包含下列步骤：在基板的第一区域中形成硅化物‑电阻区域，所述基板具有所述第一区域及第二区域，其中掩模层沉积于所述基板的顶部，并被图案化以暴露所述第一区域；在于所述基板的所述第一区域中形成所述硅化物‑电阻区域之后，移除所述掩模层；在所述第一区域的第一表面上及所述第二区域的第二表面上沉积含金属层；以及退火处理沉积的所述含金属层，以在所述第二区域中形成第一金属硅化物区域。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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