[发明专利]压印用固化性组合物、图案化方法和图案有效
| 申请号： | 201280034131.0 | 申请日： | 2012-07-09 |
| 公开（公告）号： | CN103650107B | 公开（公告）日： | 2016-11-16 |
| 发明（设计）人： | 儿玉邦彦;榎本雄一郎;臼杵一幸;大松祯;北川浩隆 | 申请（专利权）人： | 富士胶片株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;B29C59/02;C08F2/44;G11B5/84 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 贺卫国 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 所公开的是提供一种压印用固化性组合物，所述压印用固化性组合物即使在重复性的图案转印之后也能够保持良好的图案形成能力并且产生较少的缺陷。该压印用固化性组合物包含：聚合性化合物(A)；光聚合引发剂(B)；和具有聚烷撑二醇结构的非聚合性化合物(C)，所述聚烷撑二醇结构具有至少一个端羟基，或至少一个醚化的端羟基，并且基本上不含氟原子和硅原子。 | ||
| 搜索关键词： | 压印 固化 组合 图案 方法 | ||
【主权项】：
一种压印用固化性组合物，所述压印用固化性组合物包含：聚合性化合物(A)；光聚合引发剂(B)；和具有聚烷撑二醇结构并且基本上不含氟原子和硅原子的非聚合性化合物(C)，所述聚烷撑二醇结构具有至少一个端羟基，或至少一个醚化的端羟基，其中“基本上不含氟原子和硅原子”意指氟原子和硅原子的总含量为1％以下，其中所述压印用固化性组合物中的溶剂含量为组合物质量的1％以下。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于富士胶片株式会社，未经富士胶片株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201280034131.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：消除炉管负载效应的半导体制造方法
- 下一篇：草莓布丁粉
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
