[发明专利]半导体装置有效
申请号: | 201280033910.9 | 申请日: | 2012-09-28 |
公开(公告)号: | CN103650131A | 公开(公告)日: | 2014-03-19 |
发明(设计)人: | 岩濑铁平;油井隆 | 申请(专利权)人: | 松下电器产业株式会社 |
主分类号: | H01L23/12 | 分类号: | H01L23/12;H01L21/60;H01L25/065;H01L25/07;H01L25/18 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 樊建中 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 半导体装置具有:第1半导体芯片(1);其侧面的扩展部(2)以及其上的连接端子(4);在半导体芯片(1)及扩展部(2)上包括与连接端子(4)接合的布线(51)和其上的绝缘层(54)的再布线部(50);在扩展部(2)上位于再布线部(50)的表面的绝缘层(54)的开口部(541)与布线(51)接合的电极(16)。电极(16)主要由弹性模量高于布线(51)的材料构成,具有在开口部(541)与布线(51)接合的接合区域(r1)以及靠近扩展部(2)的端部的外方区域(r2)。布线(51)连续延伸到外方区域(r2)的跟前为止。 | ||
搜索关键词: | 半导体 装置 | ||
【主权项】:
一种半导体装置,具有:第1半导体芯片;扩展部,其从所述第1半导体芯片的侧面起形成于外方;连接端子,其形成于所述第1半导体芯片上;再布线部,其配置为从所述第1半导体芯片上跨到所述扩展部上,且由与所述连接端子连接的布线以及覆盖所述布线的绝缘层构成;和电极,其位于所述扩展部的正上方,且在所述再布线部的表面,与从设于所述绝缘层的开口部露出的所述布线接合,所述电极形成为以弹性模量高于所述再布线部的所述布线的材料为主,所述电极具有:在所述绝缘层的所述开口部与所述布线接合的接合区域、和比所述接合区域更靠近所述扩展部的端部的外方区域,所述再布线部的所述布线形成为避免连续延伸到所述电极的所述外方区域的正下方。
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