[发明专利]使用硅穿孔的集成电路设计有效
| 申请号： | 201280032257.4 | 申请日： | 2012-01-16 |
| 公开（公告）号： | CN103688355A | 公开（公告）日： | 2014-03-26 |
| 发明（设计）人： | 阿利弗·瑞曼 | 申请（专利权）人： | 吉林克斯公司 |
| 主分类号： | H01L25/07 | 分类号： | H01L25/07;H01L25/065;H01L23/522 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 许静;黄灿 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本文描述了在集成电路（IC）结构中，根据电路系统的物理布局的硅穿孔（TSV）的定位。IC结构可以包括多个第一电路元件（Dl、Gl和S；702、706、710和714；702、706、704和708）；多个第二电路元件（D2、G2和S；704、708、712和716；或710、714、712和716）；多个第一TSV（410和510；605到620；或720到734）；以及多个第二TSV（415和505；625到640；或736到750）。所述第一电路元件和所述第二电路元件与所述第一TSV和所述第二TSV共同包含电路块配置。所述电路块配置相对于至少一个对称轴为对称的。所述第一TSV中的至少一者为虚拟TSV，在没有所述虚拟TSV的情况下，所述电路块配置将不对称。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 穿孔 集成电路设计 | ||
【主权项】：
一种集成电路（IC）结构，其包含：多个第一电路元件；多个第二电路元件；多个第一硅穿孔（TSV）；以及多个第二TSV，其中所述第一电路元件和所述第二电路元件与所述第一TSV和所述第二TSV共同包含电路块配置；其中所述电路块配置相对于至少一个对称轴为对称的；以及其中所述第一TSV中的至少一者为虚拟TSV，在没有所述虚拟TSV的情况下，所述电路块配置将不对称。
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